美国参议院暂拒大疆无人机禁令提案，市场前景仍面临不确定性

近日消息，美国参议院军事委员会公布的《2025财年国防授权法》（NDAA）草案中，一个显著的变化是未采纳先前提出的限制措施，即禁止大疆无人机进入美国市场的提案。

上个月，美国众议院通过了其版本的《2025 财年国防授权法》，其中纳入了所谓的“反制中国无人机法案”，该法案针对中国无人机制造商大疆创新进一步限制，要求将大疆创新列入美国联邦通信委员会的限制名单，禁止大疆创新未来的产品在美国运营。

参议院决定将禁令排除在其版本的《2025 财年国防授权法》之外，反映出他们对该问题的更加谨慎务实的态度。大疆无人机广泛用于农业、基础设施、公共安全等多个领域，突然禁令可能会扰乱正在进行的项目，并阻碍关键领域的进展。

最近，来自美国拥有无人机项目的 6,000 多家公共安全机构、警察和消防部门的代表致信参议院军事委员会成员，反对将“反制中国无人机法案”纳入《国防授权法》。

尽管目前获得了喘息之机，大疆无人机在美国的未来仍不明朗。参议院版本现在将提交全体参议院审议，如果获得通过，参议院和众议院将需要协调各自版本的《国防授权法》。协调过程中可能会重新引入禁令，或者达成某种限制大疆无人机的妥协方案。

据报道，目前约 58% 的美国无人机运营商在使用大疆无人机。大疆也一直否认有关数据安全风险的指控，并强调了其为解决安全问题所采取的措施，甚至完全禁用了美国无人机飞行员将飞行记录同步到其服务器的选项。大疆表示，大疆无人机“默认不会收集飞行日志、照片或视频”，并呼吁建立“基于技术而非原产国”的全行业无人机安全标准。

美国哈佛大学校长宣布辞职

当地时间1月2日，据多家美国媒体报道，美国哈佛大学校长盖伊（Claudine Gay）于当日宣布辞职。

盖伊在声明中说，她近几个月来目睹学校的紧张和分裂削弱了信任的纽带，人们对她反对仇恨和维护学术严谨的承诺产生怀疑。在与哈佛大学校董委员会成员沟通后，她决定辞去校长一职，这符合哈佛大学的最佳利益。

哈佛大学校董委员会当天在一份声明中说，哈佛大学和美国高等教育近期面临一系列前所未有的挑战和不断升级的争议与冲突。盖伊和有关方面一直寻求以哈佛大学最佳利益为指导共同应对挑战。在经过综合考量后，校方接受盖伊的辞职，哈佛大学教务长艾伦·加伯将担任临时校长。

盖伊去年7月出任哈佛大学校长，是哈佛大学历史上任职时间最短的校长。

去年12月，盖伊和宾夕法尼亚大学校长、麻省理工学院校长共同参加国会听证会，因在校园“反犹”问题上的立场招致批评。宾夕法尼亚大学校长莉兹·马吉尔已于上个月辞职。此外，哈佛大学相关调查委员会发现盖伊在学术论文中存在错误引用资料来源等问题。

在哈佛大学387年的历史上，克劳丁·盖伊注定将是一个载入史册的人物：她不仅是哈佛历史上第二位女校长，更是第一位黑人校长。不过，这位正式就职还不到半年的校长最近却麻烦缠身，不仅深陷“反犹”风波被众多校友攻击和指责，而且还在国会听证时表现糟糕，被要求下台。2023年12月11日，美国知名记者克里斯托弗·鲁福在个人网站发布调查结果，认为盖伊的论文涉嫌严重抄袭。而在此前，斯坦福大学已经有过校长因“学术不端”辞职的先例，这让盖伊站到了舆论的火山口。

北美科研新突破，创新型薄膜半导体速度飙升至传统材料七倍

近日消息，科学家团队横跨美国麻省理工学院及加拿大渥太华大学等多个顶尖机构，近期宣布了一项创新成果：他们利用三元碲铋矿（一种独特的 ternary tetradymite 晶体材料）成功研发出新型超薄晶体薄膜半导体。这项突破有望为半导体技术带来革命性变革，推动电子设备朝向更小巧、高效、高性能的方向发展。

据介绍，这种“薄膜”厚度仅 100 纳米，其中电子的迁移速度约为传统半导体的 7 倍从而创下新纪录。这一成果有助科学家研发出新型高效电子设备。相关论文已经发表于《今日材料物理学》杂志（附 DOI:10.1016/j.mtphys.2024.101486）。

据介绍，这种“薄膜”主要是通过“分子束外延技术”精细控制分子束并“逐个原子”构建而来的材料。这种工艺可以制造出几乎没有缺陷的材料，从而实现更高的电子迁移率（即电子在电场作用下穿过材料的难易程度）。

简单来说，当科学家向“薄膜”施加电流时，他们记录到了电子以 10000 cm²/V-s 的速度发生移动。相比之下，电子在“硅半导体”中的移动速度约为 1400 cm²/V-s，而在传统铜线中则要更慢。

这种超高的电子迁移率意味着更好的导电性。这反过来又为更高效、更强大的电子设备铺平了道路，这些设备产生的热量更少，浪费的能量更少。

研究人员将这种“薄膜”的特性比喻成“不会堵车的高速公路”，他们表示这种材料“对于更高效、更省电的电子设备至关重要，可以用更少的电力完成更多的工作”。

科学家们表示，潜在的应用包括将“废热”转换成电能的可穿戴式热电设备，以及利用电子自旋而不是电荷来处理信息的“自旋电子”设备。

科学家们通过将“薄膜”置于极寒磁场环境中来测量材料中的电子迁移率，然后通过对薄膜通电测量“量子振荡”。当然，这种材料即使只有微小的缺陷也会影响电子迁移率，因此科学家们希望通过改进薄膜的制备工艺来取得更好的结果。

麻省理工学院物理学家 Jagadeesh Moodera 表示：“这表明，只要能够适当控制这些复杂系统，我们就可以实现巨大进步。我们正朝着正确的方向前进，我们将进一步研究、不断改进这种材料，希望使其变得更薄，并用于未来的自旋电子学和可穿戴式热电设备。”

美国商务部16亿美元重金激励：加速本土先进封装技术革新与产能扩张

7月10日消息，美国商务部于当地时间7月9日宣布了一项针对先进封装领域的重要研发激励举措，旨在加速美国国内在这一领域的产能建设与技术创新。

美国政府计划通过奖励金的形式向先进封装领域的创新项目提供每份不超过 1.5 亿美元（当前约 10.92 亿元人民币）的激励，以撬动来自工业界和学术界的私营部门投资。

这些项目需与以下五个研发领域中的一个或多个相关：

设备、工具、工艺、流程集成；

电力输送和热管理；

连接器技术，包括光子学和射频；

Chiplet 小芯片生态系统；

协同设计 / 电子设计自动化 (EDA)。

这项激励举措的全部奖励金之和将达 16 亿美元（当前约 116.52 亿元人民币），全部来自美国《芯片与科学法案》。

美国商务部负责标准与技术的副部长兼国家标准与技术研究所主任劳里·洛卡西奥（Laurie E. Locascio）表示：

国家先进封装制造计划将通过强大的研发驱动创新，使美国的封装行业超越世界水平。

在十年内，通过美国《芯片与科学法案》资助的研发，我们将创建一个国内封装产业。

在这个产业中，美国和国外生产的先进节点芯片可以在美国进行封装，并且通过领先的封装能力实现创新设计和架构。